但Ro是運放內(nèi)部電阻，無法操作，因此在Ro后輸出級添加一只電阻Rs和并一只CS。想當(dāng)于阻容低通負(fù)載環(huán)路。滯后補償使主極點頻率降低，即放大器頻帶變窄。如補償后只有一個極點，則被稱為單極點。凡是使相移減小的補償即被稱為超前補償，超前補償使幅頻特性曲線出現(xiàn)零點,即放大器頻帶變寬。在零點處輸出信號比輸入信號相位超前45°，幅頻特性曲線按+20dB/10倍頻程斜率變化。補償辦法是將零點與補償前的一個極點重合。削弱輸入分布電容影響的補償，將補償電容并在閉環(huán)放大器的外部反饋電阻上，使輸入信號在高頻時能直接耦合到輸出端，削弱輸入分布電容的影響，改善電路的高頻特性。

    補償條件為：RF×CB=Rr×Cr

    容性負(fù)載CL與運放輸出電阻RD構(gòu)成滯后網(wǎng)絡(luò)。該滯后網(wǎng)絡(luò)與反饋網(wǎng)絡(luò)串聯(lián)產(chǎn)生新的極點而引起電路過激勵。為此需要對容性負(fù)載進行相位補償。補償電容CB與反饋電阻RF構(gòu)成超前補償網(wǎng)絡(luò)，形成新的零點，新的零點抵消容性負(fù)載CL與集成運放輸出電阻RD構(gòu)成新的極點，從而消除過激勵，計算公式：CB=CL(RD+RL)/RF

    反饋網(wǎng)絡(luò)本身也可能引起振蕩。利用反饋網(wǎng)絡(luò)相位延遲為–atan(f/1MHz)這個事實，我們可以估計環(huán)路360°延遲將發(fā)生在約1MHz時，此時放大器的延遲為-235°，反饋網(wǎng)絡(luò)延遲為-55°。在這個相位和頻率點，放大器仍有20dB的增益，而分壓電阻增益是分壓電阻增益=0.1114or-17dB。放大器的20dB增益加上反饋網(wǎng)絡(luò)-17dB增益可以得出在0°相位處的環(huán)路增益為+3dB，電路會發(fā)生振蕩。因此必須減小與寄生電容一起發(fā)生作用的反饋電阻值（增加電位器阻值就是減小反饋網(wǎng)絡(luò)電阻值），使反饋極點遠離環(huán)路的單位增益頻率。極點與GBF比值最好6倍以上。

    運放輸入本身可能呈很大的容性，模擬Cpar。特別是低噪聲和低Vos放大器具有大的輸入晶體管，其輸入電容比其它放大器都要大，會加載它們的反饋網(wǎng)絡(luò)。

    就像反饋電容可能侵蝕相位余量一樣，它也會加載電容。下圖顯示了在一些增益設(shè)置條件下AD8544輸出阻抗與頻率的關(guān)系。注意，單位增益輸出阻抗要低于更高增益的阻抗。完整反饋允許開環(huán)增益減小放大器的固有輸出阻抗。這樣，下圖中增益為1的輸出阻抗一般要高出單位增益結(jié)果10倍。反饋衰減器會降低環(huán)路增益使之到1/10值，否則會減小閉環(huán)輸出阻抗。開環(huán)輸出阻抗約750，從增益100曲線高頻區(qū)的平坦部分很容易看出來。在從大約增益帶頻率/100到增益帶寬頻率的這段區(qū)域中，基本上沒有足夠的環(huán)路增益可減小開環(huán)輸出阻抗。如下圖：